日本富士通聯(lián)合NIMS在美國發(fā)布無鏑釹磁設(shè)計規(guī)則

東京，2016年1月12日（JCN電訊）消息，富士通公司今天宣布，與國家物質(zhì)及材料研究機構(gòu)（NIMS）和富士通實驗室有限公司聯(lián)合研究，開發(fā)出了世界上最大的反向磁化模擬裝置，用網(wǎng)狀物覆蓋3億微細區(qū)域。

該裝置的開發(fā)基于（1）大規(guī)模反向磁化；（2）2013年開發(fā)的首個模擬技術(shù)；（3）這項新的發(fā)展提供了更快的計算算法和更有效的大規(guī)模并行處理，模擬在計算機“京”上運行；（4）此外，通過利用該技術(shù)，富士通進行大規(guī)模反向磁化模擬厘清了一種類型的永磁體即釹磁鐵細微結(jié)構(gòu)和磁力之間的關(guān)聯(lián)；（5）結(jié)果成功地展示了一種方法，開發(fā)出兩倍以上（矯頑力）于以往磁鐵強度的釹磁鐵，而且不含鏑；(6)在常規(guī)的釹磁鐵中，用于增強矯頑力的鏑合金不可或缺。

這些仿真技術(shù)提供了一個明確的不依賴于鏑的高性能釹磁鐵的設(shè)計規(guī)則。

富士通和NIMS將在第13屆聯(lián)合MMM-INTERMAG大會聯(lián)合發(fā)布這些結(jié)果，該會于2016年1月11-15日在加利福尼亞州圣迭戈舉行。

元素的固有屬性應(yīng)該只能被更先進的元素超越替代，方法無法改變內(nèi)質(zhì)。對于釹磁是否需要用鏑，不應(yīng)該為了省鏑、棄鏑去做研究，而應(yīng)該去深入研究有鏑的益處；當(dāng)然，可以不用的時候自然不用。