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本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件中硅片和鉬片焊接的方法，所述方法包括以下步驟：a.在鉬片上設(shè)置第一銀層；b.在硅片的陽極上設(shè)置第二銀層；c.將第三銀層設(shè)置于第一銀層和第二銀層之間；d.通過第一銀層、第二銀層和第三銀層的焊接，從而將硅片與鉬片焊接在一起。該方法工藝簡單，成品率高，焊接強(qiáng)度高、焊接層空洞率低，變形量小，可大大的提高產(chǎn)品的性能。本發(fā)明還涉及上述方法制得的硅片/鉬片焊接產(chǎn)品的應(yīng)用。

 應(yīng)該理解到的是：上述實(shí)施例只是對本發(fā)明的說明，任何不超出本發(fā)明實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)的發(fā)明創(chuàng)造，均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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