為了滿足半導(dǎo)體應(yīng)用提高效率和性能的需求，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購(gòu)碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)能力。

　　這項(xiàng)收購(gòu)為飛兆半導(dǎo)體帶來獲經(jīng)驗(yàn)證效率的業(yè)界領(lǐng)先雙極SiC晶體管技術(shù)、寬溫度范圍下的出色表現(xiàn)，以及超越MOSFET和JFET技術(shù)的卓越性能。飛兆半導(dǎo)體同時(shí)借著這項(xiàng)收購(gòu)獲取經(jīng)驗(yàn)豐富的SiC工程師團(tuán)隊(duì)和科學(xué)家團(tuán)隊(duì)，以及多項(xiàng)SiC技術(shù)專利。

　　飛兆半導(dǎo)體公司主席、總裁兼首席執(zhí)行官Mark Thompson稱：“通過綜合SiC技術(shù)和飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的MOSFET、IGBT和多芯片模塊方面的能力，以及位于全球的客戶據(jù)點(diǎn)，我們擁有足夠?qū)嵙�，繼續(xù)擔(dān)當(dāng)創(chuàng)新性、高性能功率晶體管技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商。”

　　飛兆半導(dǎo)體首席技術(shù)官Dan Kinzer稱：“SiC技術(shù)的高性能水平可以大大提高功率轉(zhuǎn)換效率。它還提供了更高的轉(zhuǎn)換速度，可以實(shí)現(xiàn)更小的終端系統(tǒng)外形尺寸。碳化硅技術(shù)在市場(chǎng)已有 一定地位，特別在寬帶隙領(lǐng)域擁有強(qiáng)大優(yōu)勢(shì)，適合需要600V以上電壓的應(yīng)用，并展示了出色的穩(wěn)健性和可靠性。”

　　SiC技術(shù)超越其它技術(shù)的優(yōu)勢(shì)包括：

　　· 在特定的芯片尺寸下具有較低的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降

　　· 較高的電流密度

　　· 較高的工作溫度

　　· 極低的熱阻抗

　　· 僅有多數(shù)載流子傳導(dǎo)，具有超快的開關(guān)速度

　　· 采用電流增益范圍為100的通常關(guān)斷運(yùn)作(off operation)方式，提供簡(jiǎn)便的驅(qū)動(dòng)解決方案

　　· 由于采用正溫度系數(shù)電阻組件，可以方便地并聯(lián)

　　另外，這類器件的阻抗非常接近SiC技術(shù)的理論極限，并且成功地在25ns的導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間范圍內(nèi)演示了800V下的50A開關(guān)運(yùn)作。這些器件在長(zhǎng)期的全額定偏流和電流應(yīng)力狀況下具有參數(shù)穩(wěn)定性。

　　這些高增益SiC雙極器件適合向下鉆探、太陽能逆變器、風(fēng)能逆變器、電氣和混合動(dòng)力汽車、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、UPS和輕軌牽引應(yīng)用中的大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Development預(yù)計(jì)這些市場(chǎng)將于2020年達(dá)到接近10億美元的規(guī)模。

　　這款器件具有業(yè)界領(lǐng)先的效率，可將成熟的硅技術(shù)器件的相關(guān)損耗削減多達(dá)50%，或在相同的損耗條件下，將頻率提高多達(dá)四倍。SiC器件具有顯著 減小的體積、較少的無源元件，能夠降低總體系統(tǒng)成本和提升價(jià)值。對(duì)于需要最高效率和功率密度的系統(tǒng)，該器件是無可比擬的首選產(chǎn)品。

　　飛兆半導(dǎo)體正在提供針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的最高50A額定電流的1200V初始產(chǎn)品的樣品，并將于未來開發(fā)具有更寬電壓和電流范圍的產(chǎn)品，繼續(xù)推動(dòng)節(jié)能工作。

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