2012年10月30日，德國愛思強股份有限公司宣布，中國蘇州納米技術與納米仿生研究所訂購了兩套愛思強的近耦合噴淋頭技術(CCS)系統(tǒng)，以拓展該中心的氮化物半導體研究。訂單于2012年第三季度接獲，計劃將于2012年第四季度和2013年第一季度完成交付。

其中一套為愛思強推出的2英寸技術研發(fā)系統(tǒng)，可處理6x2英寸的基材。另一套CRIUS?系統(tǒng)則用于批量化生產(chǎn)，可一次處理最大31x2"或3x6"規(guī)格的基材。

蘇州納米技術與納米仿生研究所所長楊輝博士指出：“我們的納米器件及相關材料研究部將運用這兩套系統(tǒng)開發(fā)新型應用，例如用2英寸系統(tǒng)研發(fā)氮化鎵(GaN)激光器、硅基氮化鎵的生長和用CRIUS®系統(tǒng)制造高電子遷移率晶體管(HEMT)。”

納米器件及相關材料研究部于2006年成立，其中一個研究小組利用愛思強6x2”規(guī)格的近耦合噴淋頭系統(tǒng)，專門研究基于氮化鎵的大功率發(fā)光二極管(LED)和激光二極管(LDs)。該部門期望將專業(yè)技術拓展應用至電力電子領域。

目前，在硅基材上生長的氮化鎵的高電子遷移率晶體管已得到廣泛開發(fā)，用于批量生產(chǎn)射頻和功率切換應用設施的大功率密度器件。采用這種器件建造的系統(tǒng)將更為小巧節(jié)能，所需電路系統(tǒng)和被動元件更少，且能降低冷卻要求。

蘇州納米技術與納米仿生研究所由中國科學院(CAS)、江蘇省人民政府和蘇州市人民政府共同創(chuàng)建。該中心的使命為面向國際科技前沿、國家戰(zhàn)略需求與未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展，開展基礎性、戰(zhàn)略性、前瞻性研究。

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