據(jù)悉，中國(guó)蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所訂購了兩套愛思強(qiáng)的近耦合噴淋頭技術(shù)(CCS)系統(tǒng)，以拓展該中心的氮化物半導(dǎo)體研究。愛思強(qiáng)稱訂單于2012年第三季度接獲，計(jì)劃將于2012年第四季度和2013年第一季度完成交付。

其中一套為愛思強(qiáng)推出的2英寸技術(shù)研發(fā)系統(tǒng)，可處理6x2英寸的基材。另一套CRIUS®系統(tǒng)則用于批量化生產(chǎn)，可一次處理最大31x2"或3x6"規(guī)格的基材。

蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所所長(zhǎng)楊輝博士指出：“我們的納米器件及相關(guān)材料研究部將運(yùn)用這兩套系統(tǒng)開發(fā)新型應(yīng)用，例如用2英寸系統(tǒng)研發(fā)氮化鎵(GaN)激光器、硅基氮化鎵的生長(zhǎng)和用CRIUS®系統(tǒng)制造高電子遷移率晶體管(HEMT)。”

納米器件及相關(guān)材料研究部于2006年成立，其中一個(gè)研究小組利用愛思強(qiáng)6x2”規(guī)格的近耦合噴淋頭系統(tǒng)，專門研究基于氮化鎵的大功率發(fā)光二極管(LED)和激光二極管(LDs)。該部門期望將專業(yè)技術(shù)拓展應(yīng)用至電力電子領(lǐng)域。

目前，在硅基材上生長(zhǎng)的氮化鎵的高電子遷移率晶體管已得到廣泛開發(fā)，用于批量生產(chǎn)射頻和功率切換應(yīng)用設(shè)施的大功率密度器件。采用這種器件建造的系統(tǒng)將更為小巧節(jié)能，所需電路系統(tǒng)和被動(dòng)元件更少，且能降低冷卻要求。

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