鉬銅合金（Mo-Cu）是一種由高熔點(diǎn)、高強(qiáng)度的鉬和高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電的銅復(fù)合而成的材料，常用于電子器件、功率模塊、航空航天等高端領(lǐng)域的熱管理和結(jié)構(gòu)封裝。由于其獨(dú)特的…

鉬銅合金憑借其高導(dǎo)熱性、低熱膨脹系數(shù)和優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性，在高功率電子器件散熱領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。通過優(yōu)化Mo-Cu比例、提高材料致密度、采用梯度結(jié)構(gòu)、優(yōu)化界面…

航天電子設(shè)備需要在極端環(huán)境下運(yùn)行，如高溫、劇烈溫度變化、高真空、強(qiáng)輻射和振動沖擊等。因此，對電子封裝材料提出了極高的要求，包括高導(dǎo)熱性、低熱膨脹系數(shù)（CTE）、…

高功率激光器在工業(yè)加工、醫(yī)療設(shè)備、軍事應(yīng)用和光通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。然而，這類激光器在運(yùn)行過程中會產(chǎn)生大量的熱量，若散熱不及時(shí)，可能導(dǎo)致激光器性能下降、光束…

隨著5G通信技術(shù)的快速發(fā)展，基站數(shù)量和功率密度大幅增加，特別是在高頻毫米波段，射頻（RF）模塊的功率損耗顯著提升。由于射頻功放芯片在工作過程中會產(chǎn)生大量熱量，如…

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻和高效能量轉(zhuǎn)換的特點(diǎn)，在電力電子、通信設(shè)備、汽車電子以及工業(yè)控制等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，…

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子系統(tǒng)中的半導(dǎo)體器件，因其高效率、快速開關(guān)特性和高耐壓能力，在工業(yè)自動化、新能源汽車、軌道交通以及智能電網(wǎng)等…

高功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、電力傳輸、工業(yè)控制、航空航天和通信設(shè)備等領(lǐng)域。然而，在高功率運(yùn)行環(huán)境下，這些半導(dǎo)…

鉬銅合金的具體性能受其成分配比的影響較大，不同的鉬銅配比會直接影響其熱學(xué)、機(jī)械和電學(xué)特性，從而影響電子封裝性能。 對熱學(xué)性能的影響 在電子封裝中，散熱性能至關(guān)重…

液相燒結(jié)工藝（LPS）因其優(yōu)異的致密化能力、較高的導(dǎo)熱性和優(yōu)化的機(jī)械性能，在鉬銅合金制備中得到廣泛應(yīng)用。通過合理控制燒結(jié)溫度、氣氛、粉末粒度和合金成分，可以顯著…