鉬銅合金的熱膨脹係數(shù)可通過調(diào)控鉬銅比例來優(yōu)化匹配不同的封裝需求。製造工藝對CTE均勻性和穩(wěn)定性具有顯著影響，而精確控制CTE有助於提高電子封裝的可靠性。隨著先進封裝技術(shù)的發(fā)展，鉬銅將在高熱負荷電子器件中扮演更重要的角色。
熱膨脹係數(shù)（Coefficient of Thermal Expansion, CTE）表示材料在溫度變化時的尺寸變化率，通常以×10??/K為單位。鉬銅的CTE介於純鉬（約5.1 × 10??/K）和純銅（約16.5 × 10??/K）之間，可通過調(diào)整鉬和銅的比例實現(xiàn)不同的熱匹配需求。
鉬銅的CTE主要取決於鉬和銅的含量，不同成分配比的典型CTE值如下：
Mo70Cu30：約6.5-7.5 × 10??/K
Mo60Cu40：約7.5-8.5 × 10??/K
Mo50Cu50：約9.0-10.0 × 10??/K
Mo40Cu60：約10.5-12.0 × 10??/K
銅含量越高，CTE越大，而鉬含量增加則會降低CTE。
影響因素
（1）成分比例
由於鉬和銅的CTE差異較大（5.1 × 10??/K vs. 16.5 × 10??/K），通過調(diào)整鉬銅比例，可以精確控制合金的熱膨脹係數(shù)，以適配不同的封裝需求。
（2）製造工藝
粉末冶金工藝：由於可能存在微觀孔隙，CTE的均勻性可能受到影響。
液相燒結(jié)工藝：提高材料的緻密度，使熱膨脹係數(shù)更穩(wěn)定。
HIP（熱等靜壓）處理：減少孔隙，提高材料均勻性，從而優(yōu)化CTE表現(xiàn)。
（3）工作溫度範(fàn)圍
CTE並非固定值，而是隨溫度變化而變化。一般來說，在室溫至300°C範(fàn)圍內(nèi)，鉬銅的CTE較為穩(wěn)定，但在更高溫度下，銅相可能導(dǎo)致CTE上升。
（4）材料微觀結(jié)構(gòu)
細小、均勻的銅相分佈有助於減少局部膨脹不均。
孔隙率高的材料在加熱過程中容易發(fā)生不均勻膨脹，從而影響封裝穩(wěn)定性。
鉬銅合金熱膨脹匹配的重要性
在電子封裝中，晶片和封裝材料的CTE匹配至關(guān)重要，以減少熱迴圈應(yīng)力，提高器件可靠性。例如：
矽（Si）晶片的CTE 約為3.0 × 10??/K，推薦使用Mo70Cu30。
氮化鎵（GaN）晶片的CTE 約為5.6 × 10??/K，可選擇Mo70Cu30或Mo60Cu40。
砷化鎵（GaAs）晶片的CTE 約為6.0 × 10??/K，適配Mo60Cu40。
