6月12日，愛思強宣布Plessey Semiconductors Ltd向其訂購一套新MOCVD系統(tǒng)。該訂單是Plessey一系列可隨時投產的7x6英寸晶片規(guī)格的CRIUS® II-XL反應器之中的第一項，這些反應器將用于生產硅基氮化鎵(GaN-on-Si)高亮度LED芯片。

Plessey指出CRIUS® II-XL反應器將為其實現(xiàn)LED材料的全面生產奠定基礎。該公司計劃利用在普利茅斯的6英寸集成電路生產線，在大面積硅襯底上生產Plessey的LED品牌MAGIC (MAnufactured on GaNICs)。愛思強最新的CRIUS®技術擁有符合其要求的眾多優(yōu)勢，例如在6英寸硅襯底和8英寸硅襯底上生產氮化鎵外延層性價比最高的技術。

愛思強表示已做好全面準備，協(xié)助解決Plessey帶來的各種技術挑戰(zhàn)，期待見證LED市場的新浪潮。

據(jù)悉，Plessey宣布計劃在未來六個月內推出低成本“MAGIC”超高亮度LED產品，以取代白熾燈泡市場。公司還計劃開發(fā)一系列結合Plessey現(xiàn)有的獨特傳感和控制技術的智能照明產品。

Plessey表示有能力生產世界級的LED，推出市場迫切需求的低價高性能LED照明產品。2012年2月，該公司成功收購劍橋大學的衍生公司Cam GaN，現(xiàn)正致力建設硅基氮化鎵技術的全面商業(yè)開發(fā)能力。此外，Plessey計劃于2012年第三季度底前開始早期試產，在2013年第二季度前實現(xiàn)全面生產。

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