晨報訊 為促進多晶硅行業(yè)節(jié)能降耗、淘汰落后和結(jié)構(gòu)調(diào)整，引導行業(yè)健康發(fā)展，根據(jù)國家有關法律法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策，工信部、國家發(fā)改委、環(huán)境保護部會同有關部門制定了《多晶硅行業(yè)準入條件》，3月1日正式發(fā)布。

規(guī)定指出，多晶硅項目應當符合國家產(chǎn)業(yè)政策、用地政策及行業(yè)發(fā)展規(guī)劃，新建和改擴建項目投資中最低資本金比例不得低于30%。嚴格控制在能源短缺、電價較高 的地區(qū)新建多晶硅項目，對缺乏綜合配套、安全衛(wèi)生和環(huán)保不達標的多晶硅項目不予核準或備案。在依法設立的基本農(nóng)田保護區(qū)、自然保護區(qū)、風景名勝區(qū)、飲用水 水源保護區(qū)，居民集中區(qū)、療養(yǎng)地、食品生產(chǎn)地等環(huán)境條件要求高的區(qū)域周邊1000米內(nèi)或國家、地方規(guī)劃的重點生態(tài)功能區(qū)的敏感區(qū)域內(nèi)，不得新建多晶硅項 目。已在上述區(qū)域內(nèi)投產(chǎn)運營的多晶硅項目要根據(jù)該區(qū)域有關規(guī)劃，依法通過搬遷、轉(zhuǎn)停產(chǎn)等方式逐步退出。

此外，在政府投資項目核準新目錄出臺 前，新建多晶硅項目原則上不再批準。但對加強技術(shù)創(chuàng)新、促進節(jié)能環(huán)保等確有必要建設的項目，報國務院投資主管部門組織論證和核準。同時要求，太陽能級多晶 硅項目每期規(guī)模大于3000噸/年，半導體級多晶硅項目規(guī)模大于1000噸/年。新建多晶硅項目生產(chǎn)占地面積小于6公頃/千噸。太陽能級多晶硅還原電耗小 于80千瓦時/千克，2011年底前小于60千瓦時/千克。到2011年底前，淘汰綜合電耗大于200千瓦時/ 千克的太陽能級多晶硅生產(chǎn)線等。

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