目前，世界集成電路的產(chǎn)值近3000億美元，全球硅單晶的年產(chǎn)量已超過1萬噸，以12英寸為主流產(chǎn)品，2009年已占硅片產(chǎn)量的56%；直徑為18英寸的硅片將在2014年開始商業(yè)應用，現(xiàn)已有樣片試用；更大尺寸(27英寸)的硅片也在籌劃中。
    我國硅單晶產(chǎn)量大約為3000噸，約為世界總產(chǎn)量的25%，但多為8英寸以下晶體。原料IC級多晶硅全部依賴進口，太陽能級多晶硅原料也存在產(chǎn)量上的不 足， 09年多晶硅缺口仍達45%。國內(nèi)集成電路所用材料的主流仍然為8英寸硅片，市場需求量呈不斷增長趨勢。隨著國家電網(wǎng)、高速鐵路、大型水利工程等一大批項 目的開工，高電壓、大功率集成電路區(qū)熔硅材料的需求不斷增加，主要體現(xiàn)在4英寸～6英寸區(qū)熔硅片上。
    在上述廣闊市場的帶動下，國內(nèi)各相關企業(yè)紛紛對大直徑硅單晶(8英寸～12英寸)進行了深入研究和快速產(chǎn)業(yè)化，力爭滿足市場需求。其中，天津市環(huán)歐半導體 材料技術有限公司區(qū)熔硅年產(chǎn)量為50余噸，其技術和產(chǎn)量位居全球第三，是國內(nèi)最大的區(qū)熔硅材料專業(yè)制造企業(yè)。目前正開發(fā)直拉6英寸、8英寸重摻襯底片及擴 大大功率器件所需區(qū)熔硅片的生產(chǎn)規(guī)模。
    從提高硅集成電路的性能價格比來看，增大直拉硅單晶的直徑，仍是今后硅單晶發(fā)展的大趨勢。預計2014年后，18英寸的直拉硅單晶將投入生產(chǎn)。從進一步縮 小器件的特征尺寸，提高硅IC的速度和集成度來看，研制適合于硅納米工藝技術所需的高純、大直徑和無缺陷硅外延片(包括SOI和應變硅等)會成為硅材料發(fā) 展的主流。

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